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全球記憶體市場已正式進入「超級多頭（Hyper-Bull）」階段，目前市況不僅重返，更已明顯超越2018年歷史高點。在AI應用與伺服器需求持續爆發的帶動下，供應商議價能力攀升至歷史新高，推動記憶體價格快速上行。展望後市，記憶體價格漲勢仍未見緩解跡象。預估2025年第四季價格將再上漲40%–50%，2026年第一季延續相同幅度的漲勢，第二季仍有約20%的上漲空間。
價格走勢：刷新歷史紀錄
以伺服器用64GB RDIMM為例，單價已自2025年第三季的255美元大幅躍升至第四季的450美元，並預計將於2026年3月前上看700美元。此外，市場也不排除記憶體價格在今年內挑戰1,000美元關卡，換算每Gb價格約為1.95美元，幾乎是2018年高點（1.00美元/Gb）的兩倍，顯示本波多頭結構已明顯不同於以往循環。
記憶體成本攀升，重塑硬體BoM結構
記憶體價格持續攀升，正對硬體製造商的物料成本（BoM）結構帶來結構性且深遠的影響。隨著Samsung、SK hynix等主要供應商，以及中國記憶體廠商如CXMT，持續將產能轉向高毛利的伺服器DDR5產品，LPDDR4與eMMC等舊世代技術的供應明顯受擠壓，市場供給快速收斂。
在此背景下，持續的DRAM供應吃緊，預期將於2026年第一季對入門級智慧型手機的銷售表現造成顯著壓力。繼2025年DRAM價格大幅上漲約50%後，預估至2026年第二季仍將再上漲10%–20%。零組件成本不斷攀升，進一步削弱平價裝置的價格競爭力，促使OEM加速轉向中階、毛利較高的產品布局，進而壓縮消費者在入門市場的選擇空間。
在此情況下，對入門機型依賴程度較高的中國OEM將首當其衝，尤其是在非洲市場，當地功能型手機用戶多半直接升級至平價入門智慧型手機，對價格變動的敏感度相對更高。相較之下，產品組合較偏重高階市場的品牌，如Apple、Samsung與Xiaomi，受影響程度相對有限，但短期內銷售表現仍可能承受一定壓力。
供應面展望：資本支出上升，短期仍難解渴
從供需面來看，2026年DRAM產量預估年增24%。儘管記憶體供應商已開始擴大資本支出，但新產能的實質開出仍需要時間，短期內難以完全滿足AI與伺服器需求快速成長所帶來的龐大缺口，市場供需失衡態勢預期仍將延續。Counterpoint Research 研究總監MS Hwang 表示：整體而言，在AI浪潮持續推動下，記憶體已成為半導體產業中最具戰略價值的關鍵零組件之一。價格高檔化趨勢不僅將延續至2026年，也勢必對終端裝置定價策略、產品組合規劃，以及整體供應鏈布局帶來長期且深遠的影響。
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